BCR133SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details BCR133SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: BCR133 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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BCR133SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy |
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BCR133SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR |
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BCR133SH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR133 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BCR133SH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR133 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BCR133SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
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| BCR133SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
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BCR133SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
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BCR133SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy |
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