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BCW31,215

BCW31,215 Nexperia

10992328585222bcw31_bcw32_bcw33.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCW31,215 Nexperia

Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 250 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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BCW31,215 BCW31,215 Hersteller : Nexperia 10992328585222bcw31_bcw32_bcw33.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW31,215 BCW31,215 Hersteller : NXP USA Inc. PHGLS19394-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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BCW31,215 BCW31,215 Hersteller : Nexperia 10992328585222bcw31_bcw32_bcw33.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW31,215 BCW31,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCW31_BCW32_BCW33.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BCW31,215 BCW31,215 Hersteller : Nexperia 10992328585222bcw31_bcw32_bcw33.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 439
BCW31,215 BCW31,215 Hersteller : Nexperia 10992328585222bcw31_bcw32_bcw33.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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45000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 341
BCW31,215 BCW31,215 Hersteller : Nexperia BCW31_BCW32_BCW33-2937563.pdf Bipolar Transistors - BJT BCW31/SOT23/TO-236AB
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BCW31,215 BCW31,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCW31_BCW32_BCW33.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BCW31,215 BCW31,215 Hersteller : NEXPERIA BCW31_BCW32_BCW33.pdf Description: NEXPERIA - BCW31,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 190hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCW31,215 BCW31,215 Hersteller : NEXPERIA BCW31_BCW32_BCW33.pdf Description: NEXPERIA - BCW31,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 190hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCW31,215 Hersteller : NXP Semiconductors BCW31_BCW32_BCW33.pdf PHGLS19394-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 14236 Stücke:
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BCW31,215
Produktcode: 194333 		BCW31_BCW32_BCW33.pdf PHGLS19394-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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BCW31,215 BCW31,215 Hersteller : NEXPERIA 10992328585222bcw31_bcw32_bcw33.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW31,215 BCW31,215 Hersteller : NEXPERIA BCW31_BCW32_BCW33.pdf PHGLS19394-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 110...220
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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BCW31,215 BCW31,215 Hersteller : NEXPERIA BCW31_BCW32_BCW33.pdf PHGLS19394-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 110...220
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
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