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BCW68FVL

BCW68FVL Nexperia


bcw68x_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCW68FVL Nexperia

Description: BCW68FSOT23TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW, Qualification: AEC-Q101.

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BCW68FVL BCW68FVL Hersteller : Nexperia bcw68x_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BCW68FVL BCW68FVL Hersteller : Nexperia USA Inc. BCW68X_SER.pdf Description: BCW68FSOT23TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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59+0.44 EUR
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2000+ 0.08 EUR
5000+ 0.076 EUR
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BCW68FVL BCW68FVL Hersteller : Nexperia BCW68X_SER-1318640.pdf Bipolar Transistors - BJT BCW68F/SOT23/TO-236AB
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1000+ 0.075 EUR
2500+ 0.065 EUR
10000+ 0.055 EUR
20000+ 0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 113
BCW68FVL BCW68FVL Hersteller : NEXPERIA 2787520.pdf Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Übergangsfrequenz ft: 80
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BCW68
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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BCW68FVL BCW68FVL Hersteller : NEXPERIA 2787520.pdf Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Übergangsfrequenz ft: 80
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BCW68
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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BCW68FVL BCW68FVL Hersteller : Nexperia USA Inc. BCW68X_SER.pdf Description: BCW68FSOT23TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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