BD13510STU ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Mounting: THT
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details BD13510STU ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13510STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: BD135, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BD13510STU nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.81 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BD13510STU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO126ISO Mounting: THT Kind of package: tube |
auf Bestellung 1676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13510STU | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13510STU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.25 W |
auf Bestellung 1478 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BD13510STU | Hersteller : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
auf Bestellung 2951 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BD13510STU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD13510STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: BD135 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13510STU | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13510STU | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
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