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BD180G

BD180G onsemi


BD180_D-2310580.pdf Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP
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Technische Details BD180G onsemi

Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BD180G BD180G Hersteller : onsemi bd180-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
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BD180G BD180G Hersteller : ON Semiconductor bd180-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD180G BD180G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013776956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 347 Stücke:
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BD180G BD180G Hersteller : ON Semiconductor bd180-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD180G BD180G Hersteller : ON Semiconductor bd180-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD180G BD180G Hersteller : ON Semiconductor 611bd180-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD180G BD180G Hersteller : ONSEMI bd180-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 30W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power: 30W
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
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