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BDX34BG ON Semiconductor

Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 80V 10A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Produktrezensionen

Technische Details BDX34BG ON Semiconductor

Description: TRANS PNP DARL 80V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 70 W.

Weitere Produktangebote BDX34BG

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit
BDX34BG	Hersteller : ONSEMI	Description: ONSEMI - BDX34BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 Verlustleistung: 70 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (27-Jun-2018)	Produkt ist nicht verfügbar
BDX34BG	Hersteller : onsemi	Description: TRANS PNP DARL 80V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 70 W	Produkt ist nicht verfügbar
BDX34BG	Hersteller : onsemi	Darlington Transistors 10A 80V Bipolar Power PNP	Produkt ist nicht verfügbar