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Technische Details BF823,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BF823,215 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BF823,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 250V 0.05A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BF823,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 50mA; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 60MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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BF823,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 50mA; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 60MHz |
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BF823,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BF823,215 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BF823/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 6819 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BF823,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 250V 0.05A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
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BF823,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BF823,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BF823,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 50 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BF823,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BF823,215 Produktcode: 142612 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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BF823,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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