Technische Details BFP450E6327 INF
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 15.5dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V, Frequency - Transition: 24GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BFP450E6327
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| BFP450E6327 | Hersteller : INFINEON |
 08+ |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BFP450 E6327 | Hersteller : INFINEON | SOT343-AN |
auf Bestellung 1699 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BFP450E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V Frequency - Transition: 24GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active |
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BFP 450 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors TRANS GP BJT NPN 4.5V 0.1A |
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| BFP 450 E6327 | Hersteller : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT |
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