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BFP420E6327

BFP420E6327 Infineon Technologies

INFNS15718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
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Technische Details BFP420E6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 21dB, Power - Max: 160mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V, Frequency - Transition: 25GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4, Part Status: Active.

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BFP420E6327 Hersteller : Infineon INFNS15718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4,5V; Ic=35 mA; ft=25GHz; Pdmax=0,16W; h=50/150, Nf=1,1 dB @ 1,8 GHz
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