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BFU725F/N1,115

BFU725F/N1,115 NXP Semiconductors


bfu725f_n1_1.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
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Technische Details BFU725F/N1,115 NXP Semiconductors

Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 25mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 55GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfu725f_n1_1.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
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BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfu725f_n1_1.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
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BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Hersteller : NXP USA Inc. BFU725F_N1.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
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BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Hersteller : NXP Semiconductors BFU725F_N1-3138124.pdf RF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
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BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Hersteller : NXP USA Inc. BFU725F_N1.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
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BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Hersteller : NXP 1734627.pdf Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Hersteller : NXP 1734627.pdf Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfu725f_n1_1.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
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BFU725F/N1,115 BFU725F/N1,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfu725f_n1_1.pdf Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
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BFU725F/N1,115 Hersteller : NXP BFU725F_N1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.8V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 136mW
Case: SOT343F
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BFU725F/N1,115 Hersteller : NXP BFU725F_N1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.8V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 136mW
Case: SOT343F
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
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