BQ4016MC-70 Texas Instruments
Hersteller: Texas InstrumentsDescription: IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 36-DIP Module
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 1M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 7+ | 106.81 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BQ4016MC-70 Texas Instruments
Description: IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE, Packaging: Tube, Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 36-DIP Module, Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 1M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote BQ4016MC-70
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| BQ4016MC-70 | Hersteller : TI |
DIP 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| BQ4016MC-70 | Hersteller : TI |
08+; |
auf Bestellung 52400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| BQ4016MC-70 | Hersteller : Texas Instruments |
NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 5V 36-Pin DIP Module |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
|
|
BQ4016MC-70 | Hersteller : Texas Instruments |
Description: IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 36-DIP Module Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |