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BS270

BS270 ONSEMI

bs270-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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Technische Details BS270 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.

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BS270 BS270 Hersteller : ONSEMI bs270-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5750 Stücke:
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BS270 BS270 Hersteller : ON Semiconductor bs270-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Bag
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BS270 BS270 Hersteller : onsemi bs270-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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BS270 BS270 Hersteller : onsemi / Fairchild BS270_D-2310279.pdf MOSFET N-Channel MOSFET
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BS270 BS270 Hersteller : ON Semiconductor bs270-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Bag
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BS270 BS270 Hersteller : ON Semiconductor bs270-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Bag
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BS270 BS270 Hersteller : ONSEMI 2304245.pdf Description: ONSEMI - BS270 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 3453 Stücke:
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BS270 BS270 Hersteller : ON Semiconductor bs270-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Bag
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