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BSC017N04NSGATMA1

BSC017N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES


BSC017N04NSG-DTE.pdf Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Technische Details BSC017N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 100A, On-state resistance: 1.7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 139W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: PG-TDSON-8, Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BSC017N04NSGATMA1 BSC017N04NSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC017N04NSG_rev1.24.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304318a6cd680118efe5d5a60236 Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A 8TDSON
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BSC017N04NSGATMA1 BSC017N04NSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC017N04NSG_rev1.24.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304318a6cd680118efe5d5a60236 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
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BSC017N04NSGATMA1 BSC017N04NSGATMA1 Hersteller : Rochester Electronics, LLC Infineon-BSC017N04NSG-DS-v01_24-en.pdf?fileId=db3a304318a6cd680118efe5d5a60236 Description: BSC017N04NSG - N-CHANNEL POWER M
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
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