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BSH103,215

BSH103,215 Nexperia

181048364766320bsh103.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSH103,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 850mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : Nexperia 181048364766320bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH103.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V
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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : NEXPERIA BSH103.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.85A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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168+ 0.43 EUR
186+ 0.39 EUR
311+ 0.23 EUR
334+ 0.21 EUR
463+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 143
BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : NEXPERIA BSH103.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.85A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : Nexperia 181048364766320bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : Nexperia 181048364766320bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH103.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V
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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : Nexperia BSH103-2937437.pdf MOSFET BSH103/SOT23/TO-236AB
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9000+ 0.21 EUR
24000+ 0.2 EUR
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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : Nexperia 181048364766320bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : NEXPERIA 181048364766320bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : NEXPERIA 2901965.pdf Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : Nexperia 181048364766320bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : NEXPERIA 2901965.pdf Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : NEXPERIA 2901965.pdf Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
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BSH103,215 Hersteller : NXP Semiconductors BSH103.pdf МОП-транзистор N-CH 30V 0.85A, SOT-23
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BSH103,215 BSH103,215 Hersteller : NEXPERIA 181048364766320bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
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