BSH103BKR Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79.3 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details BSH103BKR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BSH103BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.23 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm.
Weitere Produktangebote BSH103BKR nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSH103BKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79.3 pF @ 15 V |
auf Bestellung 20438 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BSH103BK/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 26319 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : NEXPERIA |
Small signal MOSFET |
auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH103BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.23 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH103BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.23 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 480mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
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