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Technische Details BSH111BKR Nexperia
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 302mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V.
Weitere Produktangebote BSH111BKR nach Preis ab 0.038 EUR bis 1.32 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSH111BKR | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH111BKR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 302mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V |
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BSH111BKR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 0.13A Power dissipation: 364mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 8.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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BSH111BKR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 0.13A Power dissipation: 364mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 8.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 3970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH111BKR | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BSH111BK/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 20623 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSH111BKR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 302mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V |
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BSH111BKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH111BKR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -999 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 302mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -888 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm |
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BSH111BKR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -999 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 302mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -888 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm |
auf Bestellung 4367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH111BKR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSH111BKR | Hersteller : Nexperia |
Транз пол. ММ SOT23 N-channel Vds=55 V, Id=335 mA, Ids=4 Ohm |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH111BKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH111BKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |