Technische Details BSH121,135 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSH121,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 500 mA, 2.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, Dauer-Drainstrom Id: 500, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 700, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, Verlustleistung: 700, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| BSH121,135 | Hersteller : Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
auf Bestellung 25581 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BSH121,135 | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BSH121,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 500 mA, 2.3 ohm, SOT-323, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 500 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 700 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 700 Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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