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BSH202,215

BSH202,215 Nexperia


66241790205926bsh202.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSH202,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 520mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 417mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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BSH202,215 BSH202,215 Hersteller : Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH202,215 BSH202,215 Hersteller : NEXPERIA BSH202.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.33A; 0.17W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.17W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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295+0.24 EUR
335+ 0.22 EUR
425+ 0.17 EUR
445+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 295
BSH202,215 BSH202,215 Hersteller : NEXPERIA BSH202.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.33A; 0.17W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.17W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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BSH202,215 BSH202,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH202.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 24 V
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BSH202,215 BSH202,215 Hersteller : Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
423+0.37 EUR
743+ 0.2 EUR
751+ 0.19 EUR
767+ 0.18 EUR
1018+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
6000+ 0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 423
BSH202,215 BSH202,215 Hersteller : Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8416 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
298+0.52 EUR
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423+ 0.34 EUR
743+ 0.19 EUR
751+ 0.18 EUR
767+ 0.17 EUR
1018+ 0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
6000+ 0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 298
BSH202,215 BSH202,215 Hersteller : Nexperia BSH202-2937684.pdf MOSFET BSH202/SOT23/TO-236AB
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84+ 0.62 EUR
151+ 0.35 EUR
1000+ 0.25 EUR
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9000+ 0.21 EUR
24000+ 0.2 EUR
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BSH202,215 BSH202,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH202.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 24 V
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38+ 0.69 EUR
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BSH202,215 BSH202,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002882646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 417mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 10590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSH202,215 BSH202,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002882646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 417mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 10590 Stücke:
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BSH202,215 BSH202,215 Hersteller : NEXPERIA 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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BSH202,215 Hersteller : NXP PHGLS16559-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NXP - BSH202,215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSH202,215 BSH202,215 Hersteller : Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
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