BSH205G2AR

BSH205G2AR Nexperia USA Inc.


BSH205G2A.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BSH205G2AR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 610mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH205G2A.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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33+ 0.81 EUR
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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : Nexperia BSH205G2A-1919497.pdf MOSFET BSH205G2A/SOT23/TO-236AB
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45+1.16 EUR
64+ 0.82 EUR
154+ 0.34 EUR
1000+ 0.25 EUR
3000+ 0.2 EUR
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24000+ 0.16 EUR
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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : NEXPERIA 3163636.pdf Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : NEXPERIA 3163636.pdf Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
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BSH205G2AR Hersteller : NEXPERIA bsh205g2a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : Nexperia bsh205g2a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSH205G2AR BSH205G2AR Hersteller : Nexperia bsh205g2a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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