BSP31,115 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BSP31 - POWER BIPOL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1989+ | 0.36 EUR |
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Technische Details BSP31,115 NXP USA Inc.
Description: NOW NEXPERIA BSP31 - POWER BIPOL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.3 W.
Weitere Produktangebote BSP31,115 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSP31,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1.3W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC73; SOT223 Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 30...300 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.3W Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1061 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP31,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1.3W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC73; SOT223 Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 30...300 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.3W Polarisation: bipolar |
auf Bestellung 1061 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP31,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BSP31/SOT223/SC-73 |
auf Bestellung 2806 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSP31,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP31,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP31,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |