BSR33,115 NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 30...300
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 80V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 188+ | 0.38 EUR |
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Technische Details BSR33,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.35W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BSR33,115 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSR33,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Power dissipation: 1.35W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 30...300 Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 80V |
auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 4928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 4928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BSR33/SOT89/MPT3 |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSR33,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 23104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SOT89.jpg "BSR33,115") |
BSR33,115 Produktcode: 114083 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
Produkt ist nicht verfügbar
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BSR33,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSR33,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |