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BSS138W

BSS138W Fairchild

ds30206-datasheet.pdf
Produktcode: 49988
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-323-3
Uds,V: 50
Idd,A: 01.02.2000
Rds(on), Ohm: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
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BSS138W BSS138W Hersteller : ON Semiconductor bss138w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.21A 3-Pin SC-70 T/R
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BSS138W BSS138W Hersteller : ON Semiconductor bss138w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.21A 3-Pin SC-70 T/R
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BSS138W BSS138W Hersteller : ON Semiconductor bss138w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.21A 3-Pin SC-70 T/R
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BSS138W BSS138W Hersteller : ON Semiconductor bss138w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.21A 3-Pin SC-70 T/R
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BSS138W BSS138W Hersteller : ONSEMI bss138w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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625+ 0.11 EUR
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820+ 0.087 EUR
880+ 0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 385
BSS138W BSS138W Hersteller : ONSEMI bss138w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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BSS138W BSS138W Hersteller : onsemi bss138w-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 210MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 25 V
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BSS138W BSS138W Hersteller : onsemi / Fairchild BSS138W_D-2310582.pdf MOSFET 50V N-CH Logic Level
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BSS138W BSS138W Hersteller : onsemi bss138w-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 210MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 25 V
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BSS138W BSS138W Hersteller : ON Semiconductor bss138w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.21A 3-Pin SC-70 T/R
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BSS138W BSS138W Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003590238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS138W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 210 mA, 1.17 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
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BSS138W BSS138W Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003590238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS138W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 210 mA, 1.17 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.17ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
auf Bestellung 103851 Stücke:
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BSS138W BSS138W Hersteller : ONSEMI 2299813.pdf Description: ONSEMI - BSS138W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 210 mA, 1.17 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
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BSS138W BSS138W Hersteller : ON Semiconductor 3662143718386011bss138w.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.21A 3-Pin SC-70 T/R
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BSS138W BSS138W Hersteller : ON Semiconductor bss138w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.21A 3-Pin SC-70 T/R
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BSS138W BSS138W Hersteller : ON Semiconductor 3662143718386011bss138w.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.21A 3-Pin SC-70 T/R
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BSS138W BSS138W Hersteller : Diodes Incorporated bss138w-d.pdf MOSFET
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IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968		 IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 10291 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.11 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.09 EUR
1000+ 0.08 EUR
RB520S-30
Produktcode: 160595		 rb520s-30-sod523.pdf
RB520S-30
Hersteller: Yangjie
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOD-523
Vrrm(V): 30 V
If(A): 0,2 A
VF@IF: 0,6 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 1 А
auf Bestellung 4460 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRLML6401TRPBF
Produktcode: 34344		 irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 12
Id,A: 4.3
Rds(on),Om: 0.05
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
verfügbar: 9534 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.24 EUR
10+ 0.16 EUR
100+ 0.1 EUR
120pF 50V NP0 (R15N121J1HL2-L)
Produktcode: 60964		 multilayer_ceramic_capacitorsepoxy.pdf
120pF 50V NP0 (R15N121J1HL2-L)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 120pF
Nennspannung: 50V
TKE: NP0
Präzision: ±5% J
Abmessungen: 2,54mm
verfügbar: 386 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.044 EUR
100+ 0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSS123-E6327
Produktcode: 98887		 datasheet-bss123-e4.pdf
BSS123-E6327
Hersteller: Siemens
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Rds(on), Ohm: 6
Ciss, pF/Qg, nC: 55/1.78
JHGF: SMD
verfügbar: 4857 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.034 EUR
10+ 0.028 EUR
100+ 0.025 EUR