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Technische Details BSS192,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BSS192,115 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BSS192,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
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BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 4604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS192,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
auf Bestellung 45095 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BSS192/SOT89/MPT3 |
auf Bestellung 5215 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSS192,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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BSS192,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS192,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BSS192,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -240V Drain current: -120mA Power dissipation: 0.56W Case: SC62; SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSS192,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -240V Drain current: -120mA Power dissipation: 0.56W Case: SC62; SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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