BSS84AKQBZ Nexperia
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Technische Details BSS84AKQBZ Nexperia
Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +12V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS84AKQBZ nach Preis ab 0.12 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSS84AKQBZ | Hersteller : Nexperia |
 MOSFET BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3 |
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BSS84AKQBZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm |
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BSS84AKQBZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm |
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| BSS84AKQBZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BSS84AKQBZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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| BSS84AKQBZ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R |
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BSS84AKQBZ | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 |
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