BUD42DT4G

BUD42DT4G Rochester Electronics, LLC


ONSMS35945-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: TRANS NPN 350V 4A DPAK
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Technische Details BUD42DT4G Rochester Electronics, LLC

Description: ONSEMI - BUD42DT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 4 A, 25 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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BUD42DT4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0016042856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BUD42DT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 4 A, 25 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BUD42DT4G BUD42DT4G Hersteller : ON Semiconductor BUD42D-D.PDF Description: TRANS NPN 350V 4A DPAK
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