BUK4D38-20PX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details BUK4D38-20PX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 19W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BUK4D38-20PX nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BUK4D38-20PX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK4D38-20P/SOT1220/SOT1220 |
auf Bestellung 2733 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BUK4D38-20PX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 19W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK4D38-20PX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 19W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK4D38-20PX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
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| BUK4D38-20PX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 19W Case: DFN6; SOT1220 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| BUK4D38-20PX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 19W Case: DFN6; SOT1220 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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