auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3000+ | 0.24 EUR |
9000+ | 0.23 EUR |
24000+ | 0.22 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BUK6D120-40EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.5W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BUK6D120-40EX nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.99 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUK6D120-40EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||
BUK6D120-40EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 20478 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||
BUK6D120-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.5W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 10495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||
BUK6D120-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.5W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 10495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||
BUK6D120-40EX | Hersteller : NEXPERIA | 40 V, N-channel Trench MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
BUK6D120-40EX | Hersteller : Nexperia | 40 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
BUK6D120-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; Idm: 23A; 7.5W Mounting: SMD Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 7.5W Gate charge: 3.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: DFN6; SOT1220 On-state resistance: 233mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
BUK6D120-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; Idm: 23A; 7.5W Mounting: SMD Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 7.5W Gate charge: 3.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: DFN6; SOT1220 On-state resistance: 233mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |