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BUK6D120-40EX

BUK6D120-40EX Nexperia


BUK6D120_40E-2937869.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFET BUK6D120-40E/SOT1220/SOT1220
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Technische Details BUK6D120-40EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.5W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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BUK6D120-40EX BUK6D120-40EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK6D120-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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6000+ 0.25 EUR
9000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BUK6D120-40EX BUK6D120-40EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK6D120-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20478 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+0.99 EUR
35+ 0.76 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BUK6D120-40EX BUK6D120-40EX Hersteller : NEXPERIA 2818234.pdf Description: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D120-40EX BUK6D120-40EX Hersteller : NEXPERIA 2818234.pdf Description: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D120-40EX Hersteller : NEXPERIA buk6d120-40e.pdf 40 V, N-channel Trench MOSFET
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BUK6D120-40EX BUK6D120-40EX Hersteller : Nexperia buk6d120-40e.pdf 40 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BUK6D120-40EX Hersteller : NEXPERIA BUK6D120-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; Idm: 23A; 7.5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 7.5W
Gate charge: 3.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN6; SOT1220
On-state resistance: 233mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6D120-40EX Hersteller : NEXPERIA BUK6D120-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; Idm: 23A; 7.5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 7.5W
Gate charge: 3.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN6; SOT1220
On-state resistance: 233mΩ
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