BUK6D120-60PX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.35 EUR |
| 6000+ | 0.33 EUR |
| 9000+ | 0.31 EUR |
| 30000+ | 0.3 EUR |
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Technische Details BUK6D120-60PX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 15W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BUK6D120-60PX nach Preis ab 0.16 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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BUK6D120-60PX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
auf Bestellung 3220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6D120-60PX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6D120-60PX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
auf Bestellung 3220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6D120-60PX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6D120-60PX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 35908 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUK6D120-60PX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220 |
auf Bestellung 43335 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BUK6D120-60PX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6D120-60PX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6D120-60PX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: SOT-1220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 41618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6D120-60PX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 15W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 41618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6D120-60PX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK6D120-60PX | Hersteller : NXP |
60 V, P-channel Trench MOSFET BUK6D120-60PX TBUK6d120-60px |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK6D120-60PX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
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| BUK6D120-60PX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -32A; 15W Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.1A Pulsed drain current: -32A Power dissipation: 15W Case: DFN2020MD-6; SOT1220 On-state resistance: 256mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| BUK6D120-60PX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -32A; 15W Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.1A Pulsed drain current: -32A Power dissipation: 15W Case: DFN2020MD-6; SOT1220 On-state resistance: 256mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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