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BUK6D385-100EX

BUK6D385-100EX Nexperia

buk6d385-100e.pdf Hersteller: Nexperia
100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
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Technische Details BUK6D385-100EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK6D385-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.28 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 15W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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BUK6D385-100EX BUK6D385-100EX Hersteller : Nexperia buk6d385-100e.pdf 100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
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BUK6D385-100EX BUK6D385-100EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK6D385-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A/3.7A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK6D385-100EX BUK6D385-100EX Hersteller : Nexperia BUK6D385_100E-1596166.pdf MOSFET BUK6D385-100E/SOT1220/SOT1220
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BUK6D385-100EX BUK6D385-100EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK6D385-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A/3.7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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22+1.22 EUR
28+ 0.95 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.53 EUR
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BUK6D385-100EX BUK6D385-100EX Hersteller : NEXPERIA 2818238.pdf Description: NEXPERIA - BUK6D385-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.28 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BUK6D385-100EX BUK6D385-100EX Hersteller : NEXPERIA 2818238.pdf Description: NEXPERIA - BUK6D385-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.28 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BUK6D385-100EX BUK6D385-100EX Hersteller : NEXPERIA buk6d385-100e.pdf 100 V, N-channel Trench MOSFET
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BUK6D385-100EX Hersteller : NEXPERIA BUK6D385-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1078mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK6D385-100EX Hersteller : NEXPERIA BUK6D385-100E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1078mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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