BUK6D72-30EX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BUK6D72-30EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK6D72-30EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.053 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 15W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BUK6D72-30EX nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.72 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BUK6D72-30EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
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BUK6D72-30EX | Hersteller : Nexperia | MOSFET BUK6D72-30E/SOT1220/SOT1220 |
auf Bestellung 5455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK6D72-30EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D72-30EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.053 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 4890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6D72-30EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D72-30EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.053 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 4890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6D72-30EX | Hersteller : Nexperia | 30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 |
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BUK6D72-30EX | Hersteller : NEXPERIA | 30 V, N-channel Trench MOSFET |
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BUK6D72-30EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 44A; 15W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.8A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 15W Case: DFN6; SOT1220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 124mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK6D72-30EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 44A; 15W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.8A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 15W Case: DFN6; SOT1220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 124mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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