BUK6Y24-40PX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1500+ | 0.95 EUR |
3000+ | 0.9 EUR |
7500+ | 0.85 EUR |
10500+ | 0.81 EUR |
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Technische Details BUK6Y24-40PX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK6Y24-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 39 A, 0.019 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 66, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66, Bauform - Transistor: LFPAK56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BUK6Y24-40PX nach Preis ab 0.86 EUR bis 2.16 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BUK6Y24-40PX | Hersteller : Nexperia | MOSFET BUK6Y24-40P/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 56129 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BUK6Y24-40PX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10757 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUK6Y24-40PX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6Y24-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 39 A, 0.019 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 66 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 66 Bauform - Transistor: LFPAK56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6Y24-40PX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6Y24-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 39 A, 0.019 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 66 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6Y24-40PX | Hersteller : NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 40V 39A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK6Y24-40PX | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 39A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK6Y24-40PX | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 39A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK6Y24-40PX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -27A; Idm: -155A; 66W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -27A Pulsed drain current: -155A Power dissipation: 66W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK6Y24-40PX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -27A; Idm: -155A; 66W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -27A Pulsed drain current: -155A Power dissipation: 66W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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