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Technische Details BUK764R2-80E,118 NXP USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 713A; 324W, Polarisation: unipolar, Case: D2PAK; SOT404, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 324W, Mounting: SMD, Gate charge: 136nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 80V, Pulsed drain current: 713A, Drain current: 120A, On-state resistance: 10.2mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Application: automotive industry, Anzahl je Verpackung: 800 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BUK764R2-80E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
 Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| BUK764R2-80E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 713A; 324W Polarisation: unipolar Case: D2PAK; SOT404 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 324W Mounting: SMD Gate charge: 136nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Pulsed drain current: 713A Drain current: 120A On-state resistance: 10.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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BUK764R2-80E,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK764R2-80E/SOT404/D2PAK |
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| BUK764R2-80E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 713A; 324W Polarisation: unipolar Case: D2PAK; SOT404 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 324W Mounting: SMD Gate charge: 136nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Pulsed drain current: 713A Drain current: 120A On-state resistance: 10.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry |
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