BUK7K6R8-40E,115 Nexperia
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Technische Details BUK7K6R8-40E,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7K6R8-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
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Verfügbarkeit |
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BUK7K6R8-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
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BUK7K6R8-40E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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BUK7K6R8-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
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BUK7K6R8-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
auf Bestellung 1189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7K6R8-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK7K6R8-40E/SOT1205/LFPAK56D |
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BUK7K6R8-40E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 8835 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUK7K6R8-40E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K6R8-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
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BUK7K6R8-40E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7K6R8-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
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