BUK7M27-80EX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1500+ | 0.89 EUR |
| 3000+ | 0.84 EUR |
| 7500+ | 0.8 EUR |
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Technische Details BUK7M27-80EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 62, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62, Bauform - Transistor: SOT-1210, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BUK7M27-80EX nach Preis ab 0.78 EUR bis 7.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BUK7M27-80EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 11289 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUK7M27-80EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK7M27-80E/SOT1210/mLFPAK |
auf Bestellung 4090 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BUK7M27-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 62 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 62 Bauform - Transistor: SOT-1210 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 12252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M27-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M27-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.022 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 62 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 12252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7M27-80EX | Hersteller : NXP |
N-MOSFET 80V 30A 10V 62W AUTOMOTIVE BUK7M27-80EX TBUK7m27-80ex Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK7M27-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BUK7M27-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 21.3A; Idm: 121A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 21.3A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 62W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BUK7M27-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 21.3A; Idm: 121A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 21.3A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 62W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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