BUK7M3R3-40HX Nexperia
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Technische Details BUK7M3R3-40HX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 101W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BUK7M3R3-40HX nach Preis ab 0.79 EUR bis 3.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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BUK7M3R3-40HX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BUK7M3R3-40HX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M3R3-40HX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
auf Bestellung 1415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M3R3-40HX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
auf Bestellung 1415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M3R3-40HX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK7M3R3-40H/SOT1210/mLFPAK |
auf Bestellung 3847 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BUK7M3R3-40HX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3037 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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BUK7M3R3-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0026 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm |
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BUK7M3R3-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M3R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0026 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm |
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| BUK7M3R3-40HX | Hersteller : NXP |
N-MOSFET (Gate Level SL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK7M3R3-40H TBUK7m3r3-40h Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK7M3R3-40HX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
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BUK7M3R3-40HX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7M3R3-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
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