BUK7S1R0-40HJ Nexperia
Hersteller: NexperiaNexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
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Technische Details BUK7S1R0-40HJ Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 325, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 880, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BUK7S1R0-40HJ nach Preis ab 3.13 EUR bis 10.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BUK7S1R0-40HJ | Hersteller : Nexperia |
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint |
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BUK7S1R0-40HJ | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK7S1R0-40H/SOT1235/LFPAK88 |
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BUK7S1R0-40HJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 325 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: LFPAK88 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 880 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BUK7S1R0-40HJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7S1R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 325 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: LFPAK88 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 880 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| BUK7S1R0-40HJ | Hersteller : NEXPERIA |
N-channel 40 V, 1.0 mohm standard level MOSFET |
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| BUK7S1R0-40HJ | Hersteller : NEXPERIA |
N-channel 40 V, 1.0 mohm standard level MOSFET |
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| BUK7S1R0-40HJ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 325A; Idm: 1659A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 325A Pulsed drain current: 1659A Power dissipation: 375W Case: LFPAK88; SOT1235 On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 137nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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BUK7S1R0-40HJ | Hersteller : Nexperia |
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint |
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BUK7S1R0-40HJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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BUK7S1R0-40HJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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| BUK7S1R0-40HJ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 325A; Idm: 1659A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 325A Pulsed drain current: 1659A Power dissipation: 375W Case: LFPAK88; SOT1235 On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 137nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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