BUK7Y15-100EX NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details BUK7Y15-100EX NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 48A, Pulsed drain current: 274A, Power dissipation: 195W, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 41.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 54.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BUK7Y15-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
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BUK7Y15-100EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK56 |
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Description: MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK56 |
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BUK7Y15-100EX | Hersteller : Nexperia |
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| BUK7Y15-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 48A Pulsed drain current: 274A Power dissipation: 195W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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