Produkte > NEXPERIA > BUK7Y1R7-40HX
BUK7Y1R7-40HX

BUK7Y1R7-40HX Nexperia


2778742300460770buk7y1r7-40h.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
67+2.34 EUR
71+ 2.1 EUR
72+ 2.01 EUR
100+ 1.8 EUR
250+ 1.72 EUR
500+ 1.55 EUR
1000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BUK7Y1R7-40HX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00135 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 294, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294, Bauform - Transistor: SOT-669, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00135, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote BUK7Y1R7-40HX nach Preis ab 1.39 EUR bis 7.1 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40HX Hersteller : Nexperia 2778742300460770buk7y1r7-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
67+2.34 EUR
71+ 2.1 EUR
72+ 2.01 EUR
100+ 1.8 EUR
250+ 1.72 EUR
500+ 1.55 EUR
1000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 67
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40HX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7Y1R7-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6142 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40HX Hersteller : Nexperia BUK7Y1R7_40H-1319605.pdf MOSFET BUK7Y1R7-40H/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 10640 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+5.15 EUR
12+ 4.47 EUR
100+ 3.82 EUR
500+ 3.38 EUR
1000+ 3.28 EUR
1500+ 2.99 EUR
9000+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 11
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40HX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7Y1R7-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6142 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4433 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+7.1 EUR
10+ 5.88 EUR
100+ 4.68 EUR
500+ 3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40HX Hersteller : NEXPERIA 2553003.pdf Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00135 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 294
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294
Bauform - Transistor: SOT-669
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40HX Hersteller : NEXPERIA 2553003.pdf Description: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00135 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 294
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40HX Hersteller : NEXPERIA 2778742300460770buk7y1r7-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40HX Hersteller : NEXPERIA 2778742300460770buk7y1r7-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK7Y1R7-40HX BUK7Y1R7-40HX Hersteller : Nexperia 2778742300460770buk7y1r7-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BUK7Y1R7-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK7Y1R7-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 600A; 294W
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 294W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BUK7Y1R7-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK7Y1R7-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 600A; 294W
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 294W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Produkt ist nicht verfügbar