BUK7Y2R5-40HX Nexperia
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Technische Details BUK7Y2R5-40HX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00213 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 120, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 190, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 190, Bauform - Transistor: SOT-669, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00213, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00213, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote BUK7Y2R5-40HX nach Preis ab 1.16 EUR bis 4.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BUK7Y2R5-40HX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK7Y2R5-40HX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK7Y2R5-40H/SOT669/LFPAK |
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BUK7Y2R5-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00213 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 120 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 190 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 190 Bauform - Transistor: SOT-669 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00213 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00213 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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BUK7Y2R5-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00213 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 190 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00213 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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BUK7Y2R5-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK7Y2R5-40HX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BUK7Y2R5-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 600A; 190W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 190W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 5.45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 79nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
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BUK7Y2R5-40HX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 25 V |
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BUK7Y2R5-40HX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 25 V |
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| BUK7Y2R5-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 600A; 190W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 190W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 5.45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 79nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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