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Technische Details BUK7Y8R7-60EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 0.00527 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 147W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00527ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00527ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BUK7Y8R7-60EX nach Preis ab 1.19 EUR bis 3.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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BUK7Y8R7-60EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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BUK7Y8R7-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 0.00527 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 147W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00527ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00527ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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| BUK7Y8R7-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
BUK7Y8R7-60EX SMD N channel transistors |
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BUK7Y8R7-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 87A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7Y8R7-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 87A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7Y8R7-60EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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