BUK964R2-55B,118 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 800+ | 4.8 EUR |
| 1600+ | 4.11 EUR |
| 2400+ | 3.87 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BUK964R2-55B,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BUK964R2-55B,118 nach Preis ab 4 EUR bis 7.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK964R2-55B,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK964R2-55B/SOT404/D2PAK |
auf Bestellung 3524 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK964R2-55B,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10220 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 4797 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK964R2-55B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
BUK964R2-55B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK964R2-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
BUK964R2-55B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 55V 191A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| BUK964R2-55B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 765A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Pulsed drain current: 765A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| BUK964R2-55B,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 765A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Pulsed drain current: 765A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |