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BUK9M4R3-40HX

BUK9M4R3-40HX Nexperia


BUK9M4R3_40H-2937636.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFET BUK9M4R3-40H/SOT1210/mLFPAK
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Technische Details BUK9M4R3-40HX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9M4R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0043 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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BUK9M4R3-40HX BUK9M4R3-40HX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M4R3-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M4R3-40HX BUK9M4R3-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK9M4R3-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M4R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0043 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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BUK9M4R3-40HX BUK9M4R3-40HX Hersteller : Nexperia pgurl_7690343117832249.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 95A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9M4R3-40HX Hersteller : NEXPERIA pgurl_7690343117832249.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 95A 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M4R3-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK9M4R3-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9M4R3-40HX BUK9M4R3-40HX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M4R3-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M4R3-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK9M4R3-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
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