BUK9Y14-80E,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1500+ | 1.27 EUR |
| 3000+ | 1.19 EUR |
| 7500+ | 1.14 EUR |
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Technische Details BUK9Y14-80E,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BUK9Y14-80E,115 nach Preis ab 1.09 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BUK9Y14-80E,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK9Y14-80E/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 10785 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BUK9Y14-80E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 9966 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUK9Y14-80E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 9935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y14-80E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 62A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9Y14-80E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 62A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9Y14-80E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 62A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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