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Technische Details BUK9Y1R3-40HX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BUK9Y1R3-40HX nach Preis ab 5.11 EUR bis 7.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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BUK9Y1R3-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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BUK9Y1R3-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| BUK9Y1R3-40HX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Grade: Automotive Vgs (Max): +16V, -10V Qualification: AEC-Q101 |
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| BUK9Y1R3-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
N-channel logic level MOSFET |
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BUK9Y1R3-40HX | Hersteller : Nexperia |
N-channel logic level MOSFET Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BUK9Y1R3-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 395W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 139nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BUK9Y1R3-40HX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Grade: Automotive Vgs (Max): +16V, -10V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BUK9Y1R3-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 395W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 139nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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