Technische Details BUK9Y1R6-40HX NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 600A; 294W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 120A, Pulsed drain current: 600A, Power dissipation: 294W, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, On-state resistance: 4.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 107.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BUK9Y1R6-40HX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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BUK9Y1R6-40HX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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| BUK9Y1R6-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 600A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 294W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 107.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
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| BUK9Y1R6-40HX | Hersteller : Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK |
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BUK9Y1R6-40HX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK |
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| BUK9Y1R6-40HX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 600A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 294W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 107.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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