BUK9Y4R4-40E,115 Nexperia
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Technische Details BUK9Y4R4-40E,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BUK9Y4R4-40E,115 nach Preis ab 1.09 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BUK9Y4R4-40E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4077 pF @ 25 V |
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BUK9Y4R4-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK9Y4R4-40E/SOT669/LFPAK |
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BUK9Y4R4-40E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4077 pF @ 25 V |
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BUK9Y4R4-40E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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BUK9Y4R4-40E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 147W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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BUK9Y4R4-40E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y4R4-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9Y4R4-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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