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BUK9Y8R5-80EX

BUK9Y8R5-80EX Nexperia

3007627552507569buk9y8r5-80e.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details BUK9Y8R5-80EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9Y8R5-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0058 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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BUK9Y8R5-80EX BUK9Y8R5-80EX Hersteller : Nexperia 3007627552507569buk9y8r5-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK9Y8R5-80EX BUK9Y8R5-80EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9Y8R5-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q100
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BUK9Y8R5-80EX BUK9Y8R5-80EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9Y8R5-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q100
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BUK9Y8R5-80EX BUK9Y8R5-80EX Hersteller : Nexperia BUK9Y8R5_80E-2937880.pdf MOSFET BUK9Y8R5-80E/SOT669/LFPAK
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BUK9Y8R5-80EX BUK9Y8R5-80EX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002935013-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y8R5-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0058 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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BUK9Y8R5-80EX BUK9Y8R5-80EX Hersteller : Nexperia 3007627552507569buk9y8r5-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK9Y8R5-80EX Hersteller : NEXPERIA BUK9Y8R5-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; Idm: 423A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 423A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 21.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
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BUK9Y8R5-80EX Hersteller : NEXPERIA BUK9Y8R5-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; Idm: 423A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 423A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 21.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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