BUL416T

BUL416T STMicroelectronics


cd00244261-1797082.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN HI-VOLT FAST SW
auf Bestellung 2090 Stücke:

Lieferzeit 207-221 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+9.18 EUR
10+ 8.27 EUR
25+ 7.83 EUR
100+ 6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BUL416T STMicroelectronics

Description: TRANS NPN 800V 6A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.33A, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 250µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 700mA, 5V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 110 W.

Weitere Produktangebote BUL416T

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BUL416T BUL416T
Produktcode: 55506
Hersteller : ST en.CD00244261.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 800
Ucbo,V: 800
Ic,A: 6
Produkt ist nicht verfügbar
BUL416T BUL416T Hersteller : STMicroelectronics 3446cd00244261.pdf Trans GP BJT NPN 800V 6A 110000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BUL416T BUL416T Hersteller : STMicroelectronics en.CD00244261.pdf Description: TRANS NPN 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.33A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 700mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 110 W
Produkt ist nicht verfügbar