BUL416T STMicroelectronics
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 207-221 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 9.18 EUR |
10+ | 8.27 EUR |
25+ | 7.83 EUR |
100+ | 6.79 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BUL416T STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 800V 6A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.33A, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 250µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 700mA, 5V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 110 W.
Weitere Produktangebote BUL416T
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
BUL416T Produktcode: 55506 |
Hersteller : ST |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-220 Uceo,V: 800 Ucbo,V: 800 Ic,A: 6 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||
BUL416T | Hersteller : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 800V 6A 110000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
BUL416T | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 800V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.33A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 700mA, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 110 W |
Produkt ist nicht verfügbar |