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Technische Details BYG10J-E3/TR Vishay
Description: VISHAY - BYG10J-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BYG10, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BYG10J-E3/TR nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BYG10J-E3/TR | Hersteller : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG10J-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10J-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
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BYG10J-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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BYG10J-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape |
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BYG10J-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 1432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10J-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
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BYG10J-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 1432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10J-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
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BYG10J-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt |
auf Bestellung 6112 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BYG10J-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG10J-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYG10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BYG10J-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG10J-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BYG10J-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
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