BYG10M-E3/TR VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Leakage current: 10µA
Reverse recovery time: 4µs
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 355+ | 0.2 EUR |
| 435+ | 0.16 EUR |
| 495+ | 0.15 EUR |
| 570+ | 0.13 EUR |
| 600+ | 0.12 EUR |
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Technische Details BYG10M-E3/TR VISHAY
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.
Weitere Produktangebote BYG10M-E3/TR nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 10µA Reverse recovery time: 4µs |
auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 8450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
auf Bestellung 87838 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 4377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 4377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt |
auf Bestellung 32838 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
auf Bestellung 88684 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG10M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 37750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG10M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 37750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 58200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
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